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專利名稱:一種用于大尺寸晶體元件酸退火處理的裝置

文章來源: 发布时间: 2021-05-25

專利名稱:一種用于大尺寸晶體元件酸退火處理的裝置

申 请 号 

CN2020213420789

申 请 日 

2020-07-08

公開(公告)號

CN212895090U

公開(公告)日 

2021-02-20

申請(專利權)人 

中國科學院合肥物質科學研究院

发 明 人 

孫貴花,張慶禮,劉文鵬,羅建喬,孫彧,高進雲,韓松,鄭麗麗,谷長江,何嘉偉

專利類型 

實用新型

摘 要 

本實用新型公开了一种用于大尺寸晶体元件酸退火处理的装置,包括有底座、底部固定于底座上的油浴装置、设置于油浴装置内部的双层高硼硅玻璃封闭容器和固定于底座上的控制器。本實用新型采用油浴罐体进行油浴加热,并采用双层高硼硅玻璃封闭容器盛放酸液,双层高硼硅玻璃封闭容器具有耐高温耐腐蚀的特点,不易被酸碱腐蚀,且可确保酸液不会流到油浴罐体中,控制器采用多段可编程温控仪精确控制升降温速率,提高操作的方便性,同时避免升降温速度过快造成晶体元件开裂,从而快速去除大尺寸晶体元件表面的加工损伤。

主權項 

1.一種用于大尺寸晶體元件酸退火處理的裝置,其特征在于:包括有底座、底部固定于底座上的油浴裝置、設置于油浴裝置內部的強酸盛放裝置和固定于底座上的控制器;所述的油浴裝置包括有油浴罐體、加熱棒、溫度傳感器、攪拌軸和承重支架,所述的承重支架的底端固定于油浴罐體的內底面上,所述的攪拌軸的底端連接于油浴罐體內底面的中心位置處,所述的加熱棒和溫度傳感器均固定連接于油浴攪拌罐內;所述的強酸盛放裝置爲置于承重支架頂端的雙層高硼矽玻璃封閉容器;所述的控制器包括有固定于底座上的電源開關、加熱開關、攪拌調節器和多段可編程溫控儀,所述的加熱開關和攪拌調節器均與電源開關連接,所述的多段可編程溫控儀的供電端與加熱開關連接,所述的攪拌軸驅動機構的控制端與攪拌調節器連接,所述的加熱棒、溫度傳感器均與多段可編程溫控儀連接。

2.根据权利要求 1 所述的一种用于大尺寸晶体元件酸退火处理的装置,其特征在于:所述的油浴罐体包括有静电喷塑外壳、套装固定于静电喷塑外壳内部的不锈钢内胆、固定于静电喷塑外壳和不锈钢内胆之间的隔热棉。

3.根据权利要求 1 所述的一种用于大尺寸晶体元件酸退火处理的装置,其特征在于:所述的油浴罐体的顶端密封连接有双层真空保温盖。

4.根据权利要求 1 所述的一种用于大尺寸晶体元件酸退火处理的装置,其特征在于:所述的双层高硼硅玻璃封闭容器包括有双层高硼硅玻璃筒和密封连接于双层高硼硅玻璃筒顶端的高硼硅玻璃盖。

5.根据权利要求 4 所述的一种用于大尺寸晶体元件酸退火处理的装置,其特征在于:所述的双层高硼硅玻璃筒的外径不大于油浴罐体内径的二分之一。

IPC信息 

IPC主分類號 

C30B33/10

IPC分類號 

C30B33/10|C30B33/02

C 化学;冶金

  C30 晶体生长〔3〕

   C30B 单晶生长(用超高压的,例如用于金刚石形成的入 B01J3/06);共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼(金属或合金的区熔精炼入 C22B);具有一定结构的均匀多晶材料的制备(金属铸造,按同样工艺或装置的其他物质铸造入 B22D;塑料的加工入 B29;改变金属或合金的物理结构入 C21D、C22F);单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理(用于半导体器件或元生产的入 H01L);其所用的装置〔3〕

   C30B33/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理(C30B31/00 优先)〔3,5〕

     C30B33/02 ·热处理(C30B33/04、C30B33/06 优先)〔5〕

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